Справочник MOSFET. MDP13N50BTH

 

MDP13N50BTH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDP13N50BTH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 174 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MDP13N50BTH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP13N50BTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1209K  magnachip
mdf13n50bth mdp13n50bth.pdfpdf_icon

MDP13N50BTH

MDP13N50B / MDF13N50B N-Channel MOSFET 500V, 13.0 A, 0.5General Description Features The MDP/F13N50B uses advanced Magnachips VDS = 500V MOSFET Technology, which provides low on-state ID = 13.0A @VGS = 10V resistance, high switching performance and RDS(ON) 0.5 @VGS = 10V excellent quality. MDP/F13N50B is suitable device for SMPS, HID Applications and general p

 6.1. Size:1339K  magnachip
mdp13n50th.pdfpdf_icon

MDP13N50BTH

MDP13N50 N-Channel MOSFET 500V, 13.0A, 0.5 General Description Features The MDP13N50 uses advanced Magnachips V = 500V DSMOSFET Technology, which provides low on- I = 13.0A @V = 10V D GSstate resistance, high switching performance R

 6.2. Size:1131K  magnachip
mdf13n50gth mdp13n50gth.pdfpdf_icon

MDP13N50BTH

MDP13N50G / MDF13N50G N-Channel MOSFET 500V, 13.0A, 0.5 General Description Features VDS = 500V These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 550V @ Tjmax MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on-ID = 13.0A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON)

 6.3. Size:288K  inchange semiconductor
mdp13n50th.pdfpdf_icon

MDP13N50BTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP13N50THFEATURESDrain Current : I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.5(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen

Другие MOSFET... MDIS4N65BTH , MDIS5N40TH , MDIS5N50TH , MDP10N50TH , MDP10N60GTH , MDP11N60TH , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH , IRF830 , MDP13N50GTH , MDP14N25CTH , MDP14N25CTP , MDP15N60GTH , MDP16N50GTH , MDP1723TH , MDP18N50BTH , MDP1901TH .

History: PSMN2R0-60ES | BUK725R0-40C

 

 
Back to Top

 


 
.