MDP13N50BTH - описание и поиск аналогов

 

MDP13N50BTH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDP13N50BTH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 174 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MDP13N50BTH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP13N50BTH даташит

 ..1. Size:1209K  magnachip
mdf13n50bth mdp13n50bth.pdfpdf_icon

MDP13N50BTH

MDP13N50B / MDF13N50B N-Channel MOSFET 500V, 13.0 A, 0.5 General Description Features The MDP/F13N50B uses advanced Magnachip s VDS = 500V MOSFET Technology, which provides low on-state ID = 13.0A @VGS = 10V resistance, high switching performance and RDS(ON) 0.5 @VGS = 10V excellent quality. MDP/F13N50B is suitable device for SMPS, HID Applications and general p

 6.1. Size:1339K  magnachip
mdp13n50th.pdfpdf_icon

MDP13N50BTH

MDP13N50 N-Channel MOSFET 500V, 13.0A, 0.5 General Description Features The MDP13N50 uses advanced Magnachip s V = 500V DS MOSFET Technology, which provides low on- I = 13.0A @V = 10V D GS state resistance, high switching performance R

 6.2. Size:1131K  magnachip
mdf13n50gth mdp13n50gth.pdfpdf_icon

MDP13N50BTH

MDP13N50G / MDF13N50G N-Channel MOSFET 500V, 13.0A, 0.5 General Description Features VDS = 500V These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 550V @ Tjmax MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- ID = 13.0A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON)

 6.3. Size:288K  inchange semiconductor
mdp13n50th.pdfpdf_icon

MDP13N50BTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP13N50TH FEATURES Drain Current I = 13A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.5 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solen

Другие MOSFET... MDIS4N65BTH , MDIS5N40TH , MDIS5N50TH , MDP10N50TH , MDP10N60GTH , MDP11N60TH , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH , 2N60 , MDP13N50GTH , MDP14N25CTH , MDP14N25CTP , MDP15N60GTH , MDP16N50GTH , MDP1723TH , MDP18N50BTH , MDP1901TH .

History: WM10N33M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.