MSD23N22 - описание и поиск аналогов

 

MSD23N22. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSD23N22

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MSD23N22

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD23N22 даташит

 ..1. Size:948K  bruckewell
 msd23n22.pdf pdf_icon

MSD23N22

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD23N22 N-Channel 30V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards,

 8.1. Size:710K  bruckewell
 msd23n58.pdf pdf_icon

MSD23N22

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD23N58 N-Channel 60V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards,

Другие MOSFET... HY1607P , ME15N10 , MMD50R380P , PDC4801R , PMF250XN , TK10A60W , MSD20N06 , MSD20N10 , IRF9640 , MSD23N58 , MSD2N60 , MSD2N70 , MSD30N06 , MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , MSD4N60 .

History: APTC80H29SCTG | 2SK1695

 

 

 

 

↑ Back to Top
.