MTB09P04DJ3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MTB09P04DJ3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 501 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MTB09P04DJ3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB09P04DJ3 даташит

 ..1. Size:368K  cystek
 mtb09p04dj3.pdf pdf_icon

MTB09P04DJ3

Spec. No. C877J3 Issued Date 2014.12.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.12.26 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -40V MTB09P04DJ3 ID@VGS=-10V, TC=25 C -50A ID@VGS=-10V, TA=25 C -13.7A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-25A 5.2m (typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-15A 6.9m (typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance

 7.1. Size:278K  cystek
 mtb09p03j3.pdf pdf_icon

MTB09P04DJ3

Spec. No. C808J3 Issued Date 2010.01.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTB09P03J3 ID -75A 8m (typ.) RDSON@VGS=-10V, ID=-25A 11m (typ.) Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-10A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free packag

 7.2. Size:340K  cystek
 mtb09p03e3.pdf pdf_icon

MTB09P04DJ3

Spec. No. C808E3 Issued Date 2014.12.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTB09P03E3 ID @ VGS=-10V, TC=25 C -75A ID @ VGS=-10V, TA=25 C -11.6A 6.7m RDSON(TYP) @ VGS=-10V, ID=-25A RDSON(TYP) @ VGS=-4.5V, ID=-10A 10.2m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement

 9.1. Size:589K  cystek
 mtb09n06j3.pdf pdf_icon

MTB09P04DJ3

Spec. No. C912J3 Issued Date 2013.07.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.07.24 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTB09N06J3 ID 50A RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 6.3 m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 9 m (typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MSW20N60, MSW9N90, MTA090N02KC3, MTA340N02KC3, MTA55N20J3, MTB070P15J3, MTB080N15J3, MTB09P03E3, 20N60, MTB110P10L3, MTB160N25J3, MTB20A06Q8, MTB20N04J3, MTB23P06VT4, MTB25C04Q8, MTB2D5N03BH8, MTB2P50ET4G