APM1106K
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APM1106K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.6
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 2
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 21.3
nC
trⓘ -
Время нарастания: 8
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22
Ohm
Тип корпуса:
SOP-8
Аналог (замена) для APM1106K
APM1106K
Datasheet (PDF)
..1. Size:586K sino
apm1106k.pdf 
APM1106K Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin DescriptionD1 N-ChannelD1D2D2100V/2A,RDS(ON) = 220m (max.) @ VGS = 10VS1RDS(ON) = 310m (max.) @ VGS = 4VG1S2 P-ChannelG2-100V/-2A,Top View of SOP-8RDS(ON) = 225m (max.) @ VGS = -10VRDS(ON) = 315m (max.) @ VGS = -4V(8) (7) (6) (5)D1 D1 D2 D2 Super High Dense Cell Design
8.1. Size:551K sino
apm1105nu.pdf 
APM1105NUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 100V/16A,RDS(ON)= 100m (max.) @ VGS=10VSRDS(ON)= 170m (max.) @ VGS=4.5VG ESD ProtectedTop View of TO-252-3 Reliable and RuggedD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GApplications Power Management in TV Inverter.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking Information
9.1. Size:815K sino
apm1110nu apm1110nub.pdf 
APM1110NU/APM1110NUBN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/10A,D RDS(ON)= 175m (max.) @ VGS=10VS RDS(ON)= 235m (max.) @ VGS=4.5VSDG ESD Protected G Reliable and RuggedTop View of TO-251Top View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in TV Inverter.SN-Chan
9.2. Size:545K sino
apm1110k.pdf 
APM1110K N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin ConfigurationDDD 100V/2.7A,DRDS(ON)=140m (typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=185m (typ.) @ VGS=4.5VSS ESD Protected SG Reliable and RuggedTop View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available(8, 7, 6, 5)D D D D(RoHS Compliant)Applications(4) G Power Management in TV Inverter.S S S(1, 2, 3)N-Ch
9.3. Size:857K cn vbsemi
apm1110nuc.pdf 
APM1110NUCwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature1000.11 4 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATIN
Другие MOSFET... FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, GMM3x120-0075X2-SMD
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, STP80NF70
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
, FDMS3610S
, GWM100-0085X1-SMD
, FDMS3606S
, GWM100-01X1-SL
.
