Справочник MOSFET. APM1110NU

 

APM1110NU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APM1110NU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 9.5 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 36 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.175 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-3

 Аналог (замена) для APM1110NU

 

 

APM1110NU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:815K  sino
 apm1110nu apm1110nub.pdf

APM1110NU APM1110NU

APM1110NU/APM1110NUBN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/10A,D RDS(ON)= 175m (max.) @ VGS=10VS RDS(ON)= 235m (max.) @ VGS=4.5VSDG ESD Protected G Reliable and RuggedTop View of TO-251Top View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in TV Inverter.SN-Chan

 0.1. Size:857K  cn vbsemi
 apm1110nuc.pdf

APM1110NU APM1110NU

APM1110NUCwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature1000.11 4 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 7.1. Size:545K  sino
 apm1110k.pdf

APM1110NU APM1110NU

APM1110K N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin ConfigurationDDD 100V/2.7A,DRDS(ON)=140m (typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=185m (typ.) @ VGS=4.5VSS ESD Protected SG Reliable and RuggedTop View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available(8, 7, 6, 5)D D D D(RoHS Compliant)Applications(4) G Power Management in TV Inverter.S S S(1, 2, 3)N-Ch

 9.1. Size:586K  sino
 apm1106k.pdf

APM1110NU APM1110NU

APM1106K Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin DescriptionD1 N-ChannelD1D2D2100V/2A,RDS(ON) = 220m (max.) @ VGS = 10VS1RDS(ON) = 310m (max.) @ VGS = 4VG1S2 P-ChannelG2-100V/-2A,Top View of SOP-8RDS(ON) = 225m (max.) @ VGS = -10VRDS(ON) = 315m (max.) @ VGS = -4V(8) (7) (6) (5)D1 D1 D2 D2 Super High Dense Cell Design

 9.2. Size:551K  sino
 apm1105nu.pdf

APM1110NU APM1110NU

APM1105NUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 100V/16A,RDS(ON)= 100m (max.) @ VGS=10VSRDS(ON)= 170m (max.) @ VGS=4.5VG ESD ProtectedTop View of TO-252-3 Reliable and RuggedD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GApplications Power Management in TV Inverter.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking Information

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top