APM2055NU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APM2055NU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APM2055NU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APM2055NU даташит

 ..1. Size:519K  sino
 apm2055nu.pdf pdf_icon

APM2055NU

APM2055NU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/10A, D RDS(ON)=55m (Typ.) @ VGS=10V S RDS(ON)=75m (Typ.) @ VGS=4.5V G RDS(ON)=140m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Top View of TO-252 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Power Management in Desktop Computer o

 8.1. Size:355K  anpec
 apm2054n.pdf pdf_icon

APM2055NU

APM2054N N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/12A, RDS(ON)=35m (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=45m (typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=110m (typ.) @ VGS=2.5V 1 2 3 1 2 3 Super High Dense Cell Design High Power and Current Handling Capability G D S G D S TO-252, SOT-89 and SOT-223 Packages To

 8.2. Size:1441K  cn vbsemi
 apm2054ndc.pdf pdf_icon

APM2055NU

APM2054NDC www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.022 at VGS = 4.5 V 6.8 RoHS 30 10 nC COMPLIANT APPLICATIONS 0.027 at VGS = 2.5 V 6.0 Load Switches for Portable Devices D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwis

 9.1. Size:148K  anpec
 apm2014n.pdf pdf_icon

APM2055NU

APM2014N N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/30A , RDS(ON)=12m (typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=18m (typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON) 1 2 3 Reliable and Rugged TO-252 Package G D S Top View of TO-252 Applications Power Management in Comput

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTBA6C12Q8, MTBA6C15J4, MTBA6C15Q8, APM1105NU, APM1106K, APM1110K, APM1110NU, APM1110NUB, IRF4905, APM2303A, APM2304A, APM4030BNU, APM4050BPU, APM4927K, APM6010K, APM6055NU, APM8010K