APM9988QG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APM9988QG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm

Тип корпуса: DFN2X5-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APM9988QG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APM9988QG даташит

 ..1. Size:343K  sino
 apm9988qg.pdf pdf_icon

APM9988QG

APM9988QG Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/8A, S2 S2 RDS(ON)= 17.5m (Max.) @ VGS=4.5V G2 RDS(ON)= 18.5m (Max.) @ VGS=4V S1 RDS(ON)= 22m (Max.) @ VGS=3.1V S1 G1 RDS(ON)= 27.5m (Max.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Top View of DFN2x5-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available D D (RoHS Compliant)

 6.1. Size:219K  anpec
 apm9988qa.pdf pdf_icon

APM9988QG

APM9988QA Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/6A, 8 D1 S1 1 RDS(ON)= 14m (typ.) @ VGS= 4.5V 7 D1 G1 2 RDS(ON)= 15m (typ.) @ VGS= 4V D2 S2 3 6 RDS(ON)= 17m (typ.) @ VGS= 3V G2 4 5 D2 RDS(ON)= 19m (typ.) @ VGS= 2.5V Super High Dense Cell Design Top View of DFN3x3-8A Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (8) (7)

 6.2. Size:268K  sino
 apm9988qb.pdf pdf_icon

APM9988QG

APM9988QB Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/8A, S2 S2 RDS(ON)=17.5m (Max.) @ VGS=4.5V G2 RDS(ON)=18.5m (Max.) @ VGS=4V RDS(ON)=22m (Max.) @ VGS=3.1V S1 S1 RDS(ON)=27.5m (Max.) @ VGS=2.5V G1 Reliable and Rugged Top View of TDFN2x5-6 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D D (3) (4) G1 G2 Applications Power Manageme

 7.1. Size:205K  anpec
 apm9988co.pdf pdf_icon

APM9988QG

APM9988CO Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/6A, RDS(ON)=16m (typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=19m (typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD Rating 2KV HBM Top View of TSSOP - 8 Lead Free Available (RoHS Compliant) (1) (8) D D Applications Power Management in Notebook Computer, (4) (5) G1 G2 Portable Equipment an

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APM2303A, APM2304A, APM4030BNU, APM4050BPU, APM4927K, APM6010K, APM6055NU, APM8010K, SPP20N60C3, APQ01SN60AA, APQ01SN60AB, APQ02SN60A, APQ02SN60AA, APQ02SN60AB, APQ02SN60AF, APQ02SN60AH, APQ02SN65AA