Справочник MOSFET. APM9988QG

 

APM9988QG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APM9988QG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X5-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APM9988QG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  sino
apm9988qg.pdfpdf_icon

APM9988QG

APM9988QGDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/8A,S2S2RDS(ON)= 17.5m (Max.) @ VGS=4.5VG2RDS(ON)= 18.5m (Max.) @ VGS=4VS1RDS(ON)= 22m (Max.) @ VGS=3.1VS1G1RDS(ON)= 27.5m (Max.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell DesignTop View of DFN2x5-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableD D(RoHS Compliant)

 6.1. Size:219K  anpec
apm9988qa.pdfpdf_icon

APM9988QG

APM9988QADual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A,8 D1S1 1RDS(ON)= 14m(typ.) @ VGS= 4.5V7 D1G1 2RDS(ON)= 15m(typ.) @ VGS= 4VD2S2 3 6RDS(ON)= 17m(typ.) @ VGS= 3VG2 4 5 D2RDS(ON)= 19m(typ.) @ VGS= 2.5V Super High Dense Cell Design Top View of DFN3x3-8A Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(8) (7)

 6.2. Size:268K  sino
apm9988qb.pdfpdf_icon

APM9988QG

APM9988QBDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/8A,S2S2RDS(ON)=17.5m (Max.) @ VGS=4.5VG2RDS(ON)=18.5m (Max.) @ VGS=4VRDS(ON)=22m (Max.) @ VGS=3.1VS1S1RDS(ON)=27.5m (Max.) @ VGS=2.5VG1 Reliable and RuggedTop View of TDFN2x5-6 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)D D(3) (4)G1G2Applications Power Manageme

 7.1. Size:205K  anpec
apm9988co.pdfpdf_icon

APM9988QG

APM9988CODual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A,RDS(ON)=16m(typ.) @ VGS=4.5VRDS(ON)=19m(typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD Rating : 2KV HBMTop View of TSSOP - 8 Lead Free Available (RoHS Compliant)(1) (8)D DApplications Power Management in Notebook Computer, (4) (5)G1G2Portable Equipment an

Другие MOSFET... APM2303A , APM2304A , APM4030BNU , APM4050BPU , APM4927K , APM6010K , APM6055NU , APM8010K , AON7506 , APQ01SN60AA , APQ01SN60AB , APQ02SN60A , APQ02SN60AA , APQ02SN60AB , APQ02SN60AF , APQ02SN60AH , APQ02SN65AA .

History: KF3N50DS | RU1HL8L | IXTH10N60 | TSM4946DCS | UPA1770 | KRF7703 | STB11NK40Z

 

 
Back to Top

 


 
.