APM9988QG - описание и поиск аналогов

 

Аналоги APM9988QG. Основные параметры


   Наименование производителя: APM9988QG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X5-6
 

 Аналог (замена) для APM9988QG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APM9988QG даташит

 ..1. Size:343K  sino
apm9988qg.pdfpdf_icon

APM9988QG

APM9988QG Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/8A, S2 S2 RDS(ON)= 17.5m (Max.) @ VGS=4.5V G2 RDS(ON)= 18.5m (Max.) @ VGS=4V S1 RDS(ON)= 22m (Max.) @ VGS=3.1V S1 G1 RDS(ON)= 27.5m (Max.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Top View of DFN2x5-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available D D (RoHS Compliant)

 6.1. Size:219K  anpec
apm9988qa.pdfpdf_icon

APM9988QG

APM9988QA Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/6A, 8 D1 S1 1 RDS(ON)= 14m (typ.) @ VGS= 4.5V 7 D1 G1 2 RDS(ON)= 15m (typ.) @ VGS= 4V D2 S2 3 6 RDS(ON)= 17m (typ.) @ VGS= 3V G2 4 5 D2 RDS(ON)= 19m (typ.) @ VGS= 2.5V Super High Dense Cell Design Top View of DFN3x3-8A Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (8) (7)

 6.2. Size:268K  sino
apm9988qb.pdfpdf_icon

APM9988QG

APM9988QB Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/8A, S2 S2 RDS(ON)=17.5m (Max.) @ VGS=4.5V G2 RDS(ON)=18.5m (Max.) @ VGS=4V RDS(ON)=22m (Max.) @ VGS=3.1V S1 S1 RDS(ON)=27.5m (Max.) @ VGS=2.5V G1 Reliable and Rugged Top View of TDFN2x5-6 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D D (3) (4) G1 G2 Applications Power Manageme

 7.1. Size:205K  anpec
apm9988co.pdfpdf_icon

APM9988QG

APM9988CO Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/6A, RDS(ON)=16m (typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=19m (typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD Rating 2KV HBM Top View of TSSOP - 8 Lead Free Available (RoHS Compliant) (1) (8) D D Applications Power Management in Notebook Computer, (4) (5) G1 G2 Portable Equipment an

Другие MOSFET... APM2303A , APM2304A , APM4030BNU , APM4050BPU , APM4927K , APM6010K , APM6055NU , APM8010K , 13N50 , APQ01SN60AA , APQ01SN60AB , APQ02SN60A , APQ02SN60AA , APQ02SN60AB , APQ02SN60AF , APQ02SN60AH , APQ02SN65AA .

History: AOT600A60L | 2SJ609 | AGM03N85H | JMSL1009AU | JMTG075C03D | JMTG062N04D | JMTG28DN10D

 

 
Back to Top

 


 
.