Справочник MOSFET. APQ01SN60AA

 

APQ01SN60AA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ01SN60AA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ01SN60AA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:717K  alpha pacific
 apq01sn60aa.pdf pdf_icon

APQ01SN60AA

DEVICE SPECIFICATION APQ01SN60AA APQ01SN60AB 600V/1A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =7.9(typ) VGS =10V, ID =0.6A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

 4.1. Size:717K  alpha pacific
 apq01sn60ab.pdf pdf_icon

APQ01SN60AA

DEVICE SPECIFICATION APQ01SN60AA APQ01SN60AB 600V/1A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =7.9(typ) VGS =10V, ID =0.6A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HGK220N25S | PMF280UN | IPP08CNE8NG | BLS60R380F-P | IRFP344PBF | PMN27XPEA | KI2310DS

 

 
Back to Top

 


 
.