APQ01SN60AA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APQ01SN60AA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.3 Ohm

Тип корпуса: TO-251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APQ01SN60AA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ01SN60AA даташит

 ..1. Size:717K  alpha pacific
 apq01sn60aa.pdf pdf_icon

APQ01SN60AA

DEVICE SPECIFICATION APQ01SN60AA APQ01SN60AB 600V/1A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =7.9 (typ) VGS =10V, ID =0.6A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

 4.1. Size:717K  alpha pacific
 apq01sn60ab.pdf pdf_icon

APQ01SN60AA

DEVICE SPECIFICATION APQ01SN60AA APQ01SN60AB 600V/1A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =7.9 (typ) VGS =10V, ID =0.6A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

Другие IGBT... APM2304A, APM4030BNU, APM4050BPU, APM4927K, APM6010K, APM6055NU, APM8010K, APM9988QG, AON7410, APQ01SN60AB, APQ02SN60A, APQ02SN60AA, APQ02SN60AB, APQ02SN60AF, APQ02SN60AH, APQ02SN65AA, APQ02SN65AB