APQ06SN65AH - описание и поиск аналогов

 

APQ06SN65AH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APQ06SN65AH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 118 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для APQ06SN65AH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ06SN65AH даташит

 ..1. Size:633K  alpha pacific
 apq06sn65af apq06sn65ah.pdf pdf_icon

APQ06SN65AH

DEVICE SPECIFICATION APQ06SN65AH APQ06SN65AF 650V/6A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 650V / 6A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =1.2 (typ) VGS =10V, ID =3A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to mi

 6.1. Size:377K  alpha pacific
 apq06sn60a.pdf pdf_icon

APQ06SN65AH

DEVICE SPECIFICATION apQ06SN60A(F) 600V/6A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 6A RDS(on) =1.0 (typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =3.6A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-

 6.2. Size:661K  alpha pacific
 apq06sn60af.pdf pdf_icon

APQ06SN65AH

DEVICE SPECIFICATION APQ06SN60AH APQ06SN60AF 600V/6A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 6A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =1.0 (typ) VGS =10V, ID =3.6A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

 6.3. Size:695K  alpha pacific
 apq06sn60ah.pdf pdf_icon

APQ06SN65AH

DEVICE SPECIFICATION APQ06SN60AH APQ06SN60AF 600V/6A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 6A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =1.0 (typ) VGS =10V, ID =3.6A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APQ04SN60CF , APQ04SN60CH , APQ05SN60A , APQ05SN60AF , APQ06SN60A , APQ06SN60AF , APQ06SN60AH , APQ06SN65AF , 2N60 , APQ07SN60AF , APQ07SN60AH , APQ07SN65AF , APQ07SN65AH , APQ07SN80BF , APQ07SN80BH , APQ08SN50B , APQ08SN50BE .

History: KHB019N20F1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.