2SJ141 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SJ141  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2SJ141

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ141 даташит

 ..1. Size:99K  no
 2sj141.pdf pdf_icon

2SJ141

 9.1. Size:282K  toshiba
 2sj148.pdf pdf_icon

2SJ141

2SJ148 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ148 High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications Interface Applications Excellent switching time ton = 14 ns (typ.) High forward transfer admittance Y = 100 mS (min) fs Low on resistance R = 1.3 (typ.) DS (ON) Enhancement-mode Complementary to 2SK9

 9.2. Size:293K  toshiba
 2sj144.pdf pdf_icon

2SJ141

2SJ144 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ144 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm Analog Switch Applications Constant Current Applications Impedance Converter Applications High breakdown voltage VGDS = 50 V (min) High input impedance I = 1.0 nA (max) (V = 30 V) GSS GS Low R R = 270 (typ.) (I = -5 mA) DS (ON)

 9.3. Size:161K  nec
 2sj140.pdf pdf_icon

2SJ141

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SJ133, 2SJ134, 2SJ135, 2SJ136, 2SJ137, 2SJ138, 2SJ139, 2SJ140, AON6414A, 2SJ142, 2SJ143, 2SJ151, 2SJ152, 2SJ165, 2SJ166, 2SJ178, 2SJ179