Справочник MOSFET. APQ13SN50AF

 

APQ13SN50AF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ13SN50AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для APQ13SN50AF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ13SN50AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:773K  alpha pacific
 apq13sn50af apq13sn50ah.pdf pdf_icon

APQ13SN50AF

DEVICE SPECIFICATION APQ13SN50AH APQ13SN50AF 500V/13A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 13A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.39(typ) VGS =10V, ID =7.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored

 4.1. Size:463K  alpha pacific
 apq13sn50a.pdf pdf_icon

APQ13SN50AF

DEVICE SPECIFICATION apQ13SN50A(F)500V/13A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 13A, RDS(on) =0.39(typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =7.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: JCS5N50VC | SHD626532 | IPZ40N04S5-3R1 | HFP5N50S | FMM150-0075X2F | BL5N50-A | FXN15N50F

 

 
Back to Top

 


 
.