Справочник MOSFET. APQ13SN50AF

 

APQ13SN50AF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APQ13SN50AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для APQ13SN50AF

 

 

APQ13SN50AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:773K  alpha pacific
 apq13sn50af apq13sn50ah.pdf

APQ13SN50AF APQ13SN50AF

DEVICE SPECIFICATION APQ13SN50AH APQ13SN50AF 500V/13A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 13A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.39(typ) VGS =10V, ID =7.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored

 4.1. Size:463K  alpha pacific
 apq13sn50a.pdf

APQ13SN50AF APQ13SN50AF

DEVICE SPECIFICATION apQ13SN50A(F)500V/13A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 13A, RDS(on) =0.39(typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =7.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top