Справочник MOSFET. CEM2133

 

CEM2133 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEM2133
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 505 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для CEM2133

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM2133 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  cet
 cem2133.pdf pdf_icon

CEM2133

CEM2133P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-20V, -10A, RDS(ON) = 18m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 27m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead-free plating ; RoHS compliant.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA =

 9.1. Size:407K  cet
 cem2182.pdf pdf_icon

CEM2133

CEM2182N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES20V, 9.3A, RDS(ON) = 18m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 24m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead-free plating ; RoHS compliant.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

 9.2. Size:440K  cet
 cem2187.pdf pdf_icon

CEM2133

CEM2187P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-20V, -7.6A, RDS(ON) = 22m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 32m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D28 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unle

 9.3. Size:324K  cet
 cem2163.pdf pdf_icon

CEM2133

CEM2163P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-20V, -8.9A, RDS(ON) = 20m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 30m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless oth

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CEDM8001VL , CEDM8004 , CEDM8004VL , CEEF02N65G , CEF05N8 , CEF18N5 , CEF30N3 , CEM101 , SKD502T , CEM4248 , CEP05N8 , CEP110P03 , CEP18N5 , CEP30N3 , CEU5175 , HX2N60 , HX4N60 .

History: WMK08N60C4 | R6015ANZ | SQJ420EP | STB40NF10LT4 | FDD6670S | 5N65KG-TMS-T

 

 
Back to Top

 


 
.