Справочник MOSFET. HY150N075T

 

HY150N075T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY150N075T
   Маркировка: 150N075T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 186 nC
   trⓘ - Время нарастания: 42.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для HY150N075T

 

 

HY150N075T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  hy
 hy150n075t.pdf

HY150N075T HY150N075T

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON-T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE () 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY150N075T 75V / 150A75V, RDS(ON)=4.5mW@VGS=10V, ID=30AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product

 9.1. Size:424K  1
 hy1506c2.pdf

HY150N075T HY150N075T

HY1506C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/48AD D D D D D D DRDS(ON)= 10.5m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 12.2m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8LApplications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application

 9.2. Size:673K  hymexa
 hy1503c1.pdf

HY150N075T HY150N075T

HY1503C1 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D 30V/34A RDS(ON)= 7.1m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 10.0 m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged G S S S Halogen Free and Green Devices Available Pin1 (RoHS Compliant) DFN3*3-8L Applications Switching Application Power Management for DC/D

 9.3. Size:424K  hymexa
 hy1506c2.pdf

HY150N075T HY150N075T

HY1506C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/48AD D D D D D D DRDS(ON)= 10.5m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 12.2m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8LApplications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application

 9.4. Size:580K  hymexa
 hy1506.pdf

HY150N075T HY150N075T

HY1506P/I/BAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 60 V VGSS Gate-Source Voltage 25 TJ Maximum Junction Temperature 175 C TSTG Storage Temperature Range -55 to 175 C IS Diode Continuous Forward Current TC=25C 55 A Mounted on Large Heat Sink IDM TC=25C 220** A Pulsed Drain C

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top