HY150N075T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY150N075T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для HY150N075T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY150N075T даташит

 ..1. Size:225K  hy
 hy150n075t.pdf pdf_icon

HY150N075T

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON- T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE ( ) 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY150N075T 75V / 150A 75V, RDS(ON)=4.5mW@VGS=10V, ID=30A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product

 9.1. Size:424K  1
 hy1506c2.pdf pdf_icon

HY150N075T

HY1506C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/48A D D D D D D D D RDS(ON)= 10.5m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 12.2m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application

 9.2. Size:673K  hymexa
 hy1503c1.pdf pdf_icon

HY150N075T

HY1503C1 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D 30V/34A RDS(ON)= 7.1m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 10.0 m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged G S S S Halogen Free and Green Devices Available Pin1 (RoHS Compliant) DFN3*3-8L Applications Switching Application Power Management for DC/D

 9.3. Size:424K  hymexa
 hy1506c2.pdf pdf_icon

HY150N075T

HY1506C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/48A D D D D D D D D RDS(ON)= 10.5m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 12.2m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HX5N6, HX70N06-TA3, HX70N6, HY10N65T, HY110N06T, HY125N10T, HY12N65T, HY13N50T, IRFZ48N, HY18N20D, HY18N20T, HY18N50W, HY1N60D, HY2N60D, HY2N60T, HY2N65D, HY2N65T