Справочник MOSFET. HY2N60T

 

HY2N60T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY2N60T
   Маркировка: 2N60T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HY2N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  hy
hy2n60t.pdfpdf_icon

HY2N60T

HY2N60T / HY2N60FT600V / 2.0A600V, RDS(ON)=4.6@VGS=10V, ID=1.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS112 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G33DDS

 8.1. Size:193K  hy
hy2n60d.pdfpdf_icon

HY2N60T

HY2N60D / HY2N60M600V / 2.0A600V, RDS(ON)=4.6@VGS=10V, ID=1.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, PFC and SMPS21 1D G 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G3DS3SMechanical Info

 9.1. Size:168K  hy
hy2n65d.pdfpdf_icon

HY2N60T

SINGLEFIG.SINGLE CURVE FIG. 2 NON-T1 FORWARD CURRENTAMBIENT1 2MAXIMUM5 101 25 50 PHASE HALF WAVE 60Hz () 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 TEMPERATURE DERATING 100 75 10 20 100 125HY2N65D / HY2N65M 650V / 2A650V, RDS(ON)=4.6W@VGS=10V, ID=1AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-252 TO-251 Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Cha

 9.2. Size:146K  hy
hy2n65t.pdfpdf_icon

HY2N60T

HY2N65T / HY2N65FT650V / 2A650V, RDS(ON)=4.6W@VGS=10V, ID=1AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1 1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQB4N50TM | HY4903B6 | STS9NF3LL | STS2601

 

 
Back to Top

 


 
.