HY2N65T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY2N65T
Маркировка: 2N65T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6.4 nC
Время нарастания (tr): 18.6 ns
Выходная емкость (Cd): 36 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.6 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
HY2N65T Datasheet (PDF)
hy2n65t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HY2N65T / HY2N65FT650V / 2A650V, RDS(ON)=4.6W@VGS=10V, ID=1AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1 1
hy2n65d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SINGLEFIG.SINGLE CURVE FIG. 2 NON-T1 FORWARD CURRENTAMBIENT1 2MAXIMUM5 101 25 50 PHASE HALF WAVE 60Hz () 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 TEMPERATURE DERATING 100 75 10 20 100 125HY2N65D / HY2N65M 650V / 2A650V, RDS(ON)=4.6W@VGS=10V, ID=1AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-252 TO-251 Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Cha
hy2n60d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HY2N60D / HY2N60M600V / 2.0A600V, RDS(ON)=4.6@VGS=10V, ID=1.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, PFC and SMPS21 1D G 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G3DS3SMechanical Info
hy2n60t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HY2N60T / HY2N60FT600V / 2.0A600V, RDS(ON)=4.6@VGS=10V, ID=1.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS112 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G33DDS
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: TPA65R950M
History: TPA65R950M
![HY2N65T](https://alltransistors.com/images/us.png)
![HY2N65T](https://alltransistors.com/images/es.png)
![HY2N65T](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C