Справочник MOSFET. HY4N65T

 

HY4N65T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY4N65T
   Маркировка: 4N65T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для HY4N65T

 

 

HY4N65T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  hy
 hy4n65t.pdf

HY4N65T HY4N65T

HY4N65T / HY4N65FT 650V / 4A650V, RDS(ON)=2.8W@VGS=10V, ID=2AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1 1

 8.1. Size:168K  hy
 hy4n65d.pdf

HY4N65T HY4N65T

SINGLEFIG.SINGLE CURVE FIG. 2 NON-T1 FORWARD CURRENTAMBIENT1 2MAXIMUM5 101 25 50 PHASE HALF WAVE 60Hz () 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 TEMPERATURE DERATING 100 75 10 20 100 125HY4N65D / HY4N65M 650V / 4A650V, RDS(ON)=2.8W@VGS=10V, ID=2AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-252 TO-251 Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Cha

 9.1. Size:101K  hy
 hy4n60t.pdf

HY4N65T HY4N65T

HY4N60T / HY4N60FT600V / 4.0A600V, RDS(ON)=2.4@VGS=10V, ID=2.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS112 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G33DDS

 9.2. Size:181K  hy
 hy4n60d.pdf

HY4N65T HY4N65T

HY4N60D / HY4N60M600V / 4.0A600V, RDS(ON)=2.4@VGS=10V, ID=2.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS21 1D G 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G3DS3SMec

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 

Back to Top