IRFS820. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS820

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS820

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS820 даташит

 ..1. Size:284K  1
 irfs820 irfs821.pdf pdf_icon

IRFS820

 ..2. Size:310K  1
 irfs820 irfs821 irfs822 irfs823.pdf pdf_icon

IRFS820

 0.1. Size:866K  fairchild semi
 irf820b irfs820b.pdf pdf_icon

IRFS820

 0.2. Size:502K  samsung
 irfs820a.pdf pdf_icon

IRFS820

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 2.1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) 2.000 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Va

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS732, IRFS733, IRFS740, IRFS740A, IRFS741, IRFS742, IRFS743, IRFS750A, STP65NF06, IRFS820A, IRFS821, IRFS822, IRFS823, IRFS830, IRFS830A, IRFS831, IRFS832