Справочник MOSFET. HY4N70T

 

HY4N70T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY4N70T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для HY4N70T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY4N70T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  hy
 hy4n70t.pdf pdf_icon

HY4N70T

HY4N70T / HY4N70FT 700V / 4A700V, RDS(ON)=2.8W@VGS=10V, ID=2AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1 1

 8.1. Size:167K  hy
 hy4n70d.pdf pdf_icon

HY4N70T

SINGLEFIG.SINGLE CURVE FIG. 2 NON-T1 FORWARD CURRENTAMBIENT1 2MAXIMUM5 101 25 50 PHASE HALF WAVE 60Hz () 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 TEMPERATURE DERATING 100 75 10 20 100 125HY4N70D / HY4N70M 700V / 4A700V, RDS(ON)=2.8W@VGS=10V, ID=2AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-252 TO-251 Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Cha

Другие MOSFET... HY2N70D , HY2N70T , HY3N80T , HY4N60D , HY4N60T , HY4N65D , HY4N65T , HY4N70D , IRFZ44N , HY5N50T , HY6N60D , HY6N60T , HY75N075T , HY75N10T , HY7N80T , HY80N075T , HY80N07T .

History: STB10NK60Z-1 | 2SK3834 | 2SK1296 | UT3443 | 3SK207 | 14N50L-TF1-T | 2SK2765-01

 

 
Back to Top

 


 
.