Справочник MOSFET. RU1H35K

 

RU1H35K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1H35K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
   trⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1H35K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  ruichips
 ru1h35k.pdf pdf_icon

RU1H35K

RU1H35KN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/40A, RDS (ON) =21m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO251DApplications High Speed Power SwitchingGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitCommon Ratings (

 8.1. Size:287K  ruichips
 ru1h35q.pdf pdf_icon

RU1H35K

RU1H35QN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/40A,RDS (ON) =21m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-247ApplicationsSwitching applicationN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unles

 8.2. Size:298K  ruichips
 ru1h35r.pdf pdf_icon

RU1H35K

RU1H35RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/40A,RDS (ON) =21m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220ApplicationsSwitching applicationN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unles

 8.3. Size:290K  ruichips
 ru1h35s.pdf pdf_icon

RU1H35K

RU1H35SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/40A,RDS (ON) =21m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-263ApplicationsSwitching applicationN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unles

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NTTFS5C453NL

 

 
Back to Top

 


 
.