RU20P18L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU20P18L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RU20P18L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU20P18L даташит

 ..1. Size:338K  ruichips
ru20p18l.pdfpdf_icon

RU20P18L

RU20P18L P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -20V/-18A, RDS (ON) =30m (Typ.)@VGS=-4.5V D RDS (ON) =45m (Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S TO252 D Ap

 9.1. Size:415K  ruichips
ru20p7c.pdfpdf_icon

RU20P18L

RU20P7C P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -20V/-5A, RDS (ON) =20m (Typ.)@VGS=-4.5V D RDS (ON) =30m (Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S SOT23-3 D D D D D D D Applications pp Load Switch

 9.2. Size:327K  ruichips
ru20p5e.pdfpdf_icon

RU20P18L

RU20P5E P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -20V/-5A, RDS (ON) =50m (Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =65m (Typ.)@VGS=-3V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G SOT89 D Applications Load Switch Power Management G S P-Channel MOSFET Absolute M

 9.3. Size:361K  ruichips
ru20p4c6.pdfpdf_icon

RU20P18L

RU20P4C6 P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -20V/-4A, S RDS (ON) =35m (Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =45m (Typ.)@VGS=-2.5V D Low On-Resistance D Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D D SOT23-6 D D D D D D D Applications pp Load S

Другие IGBT... RU2020H, RU2021H, RU205B, RU206G, RU2090M, RU20D10H, RU20E60L, RU20E8H, 18N50, RU20P2B, RU20P3B, RU20P4C, RU20P5E, RU20T7G, RU20T8M7, RU2520H, RU2560L