RU20P2B. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RU20P2B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для RU20P2B
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RU20P2B даташит
ru20p2b.pdf
RU20P2B P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -20V/-2.4A, RDS (ON) =95m (Typ.)@VGS=-4.5V D RDS (ON) =140m (Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S SOT23 D Applications Load Switch G S P-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings S
ru20p7c.pdf
RU20P7C P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -20V/-5A, RDS (ON) =20m (Typ.)@VGS=-4.5V D RDS (ON) =30m (Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S SOT23-3 D D D D D D D Applications pp Load Switch
ru20p18l.pdf
RU20P18L P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -20V/-18A, RDS (ON) =30m (Typ.)@VGS=-4.5V D RDS (ON) =45m (Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S TO252 D Ap
ru20p5e.pdf
RU20P5E P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -20V/-5A, RDS (ON) =50m (Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =65m (Typ.)@VGS=-3V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G SOT89 D Applications Load Switch Power Management G S P-Channel MOSFET Absolute M
Другие IGBT... RU2021H, RU205B, RU206G, RU2090M, RU20D10H, RU20E60L, RU20E8H, RU20P18L, 20N50, RU20P3B, RU20P4C, RU20P5E, RU20T7G, RU20T8M7, RU2520H, RU2560L, RU2568L
History: FMP16N60E | NCE70N1K4I | NCE70N1K4F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035











