RU2568L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU2568L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для RU2568L
RU2568L Datasheet (PDF)
ru2568l.pdf
RU2568LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 25V/60A,RDS (ON) =4m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche testedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC/DC Converters Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum
ru2560l.pdf
RU2560LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 25V/55A,RDS (ON) =8m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =12m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management in DesktopComputer, Portable Equipm
Другие MOSFET... RU20P2B , RU20P3B , RU20P4C , RU20P5E , RU20T7G , RU20T8M7 , RU2520H , RU2560L , K2611 , RU2H30Q , RU2H30R , RU2H30S , RU2H50Q , RU2H50R , RU2H50S , RU2HE2D , RU2HE5L .
History: HSBB3103 | JMSH1509PC | BUZ906X4S | JMSH1101PE | JMSH1509PG | HSBG2024
History: HSBB3103 | JMSH1509PC | BUZ906X4S | JMSH1101PE | JMSH1509PG | HSBG2024
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP60P02D | AP60N06F | AP60N04NF | AP60N04DF | AP60N04D | AP60N03Y | AP60N03NF | AP60N03DF | AP60N03D | AP60N02NF | AP60N02DF | AP60N02D | AP5P06MSI | AP5P04MI | AP40P04NF | AP40P04DF
Popular searches
ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g



