RU2568L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU2568L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO-252
RU2568L Datasheet (PDF)
ru2568l.pdf
RU2568LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 25V/60A,RDS (ON) =4m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche testedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC/DC Converters Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum
ru2560l.pdf
RU2560LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 25V/55A,RDS (ON) =8m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =12m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management in DesktopComputer, Portable Equipm
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918