Справочник MOSFET. RU30120L

 

RU30120L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU30120L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 106 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для RU30120L

 

 

RU30120L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  ruichips
ru30120l.pdf

RU30120L
RU30120L

RU30120LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/120A,RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =3.3m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Rat

 7.1. Size:317K  ruichips
ru30120s.pdf

RU30120L
RU30120L

RU30120SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =2.5m(Typ.)@VGS=10VD RDS (ON) =3.3m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO263DApplications DC-DC ConvertersGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

 7.2. Size:302K  ruichips
ru30120r.pdf

RU30120L
RU30120L

RU30120RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/120A,RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =3.3m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ra

 7.3. Size:557K  ruichips
ru30120m3.pdf

RU30120L
RU30120L

RU30120M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/120A,RDS (ON) =1.8m(Typ.)@VGS=10V DDDRDS (ON) =2.3m(Typ.)@VGS=4.5VD Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-ResistanceG Fast Switching SpeedSS 100% avalanche tested S Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)PIN1DFN3030DApplications Fast Ch

Другие MOSFET... RU2HE2D , RU2HE5L , RU30100L , RU30100R , RU30105L , RU30105R , RU30106L , RU3010H , IRFP064N , RU30120S , RU3013H , RU30140R , RU30160R , RU30160S , RU3020H , RU3020L , RU30230R .

 

 
Back to Top