RU30120L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RU30120L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 106 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для RU30120L
RU30120L Datasheet (PDF)
ru30120l.pdf

RU30120LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/120A,RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =3.3m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Rat
ru30120s.pdf

RU30120SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =2.5m(Typ.)@VGS=10VD RDS (ON) =3.3m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO263DApplications DC-DC ConvertersGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum
ru30120r.pdf

RU30120RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/120A,RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =3.3m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ra
ru30120m3.pdf

RU30120M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/120A,RDS (ON) =1.8m(Typ.)@VGS=10V DDDRDS (ON) =2.3m(Typ.)@VGS=4.5VD Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-ResistanceG Fast Switching SpeedSS 100% avalanche tested S Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)PIN1DFN3030DApplications Fast Ch
Другие MOSFET... RU2HE2D , RU2HE5L , RU30100L , RU30100R , RU30105L , RU30105R , RU30106L , RU3010H , MMD60R360PRH , RU30120S , RU3013H , RU30140R , RU30160R , RU30160S , RU3020H , RU3020L , RU30230R .
History: MT3245 | ME7114S | APT5024SVR | HY4008A | SL18N50F | SVD540DTR | STS65R580SS2TR
History: MT3245 | ME7114S | APT5024SVR | HY4008A | SL18N50F | SVD540DTR | STS65R580SS2TR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638