RU30120L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU30120L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 106 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RU30120L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30120L даташит

 ..1. Size:276K  ruichips
 ru30120l.pdf pdf_icon

RU30120L

RU30120L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =3.3m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Rat

 7.1. Size:317K  ruichips
 ru30120s.pdf pdf_icon

RU30120L

RU30120S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =2.5m (Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =3.3m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO263 D Applications DC-DC Converters G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum

 7.2. Size:302K  ruichips
 ru30120r.pdf pdf_icon

RU30120L

RU30120R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =3.3m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ra

 7.3. Size:557K  ruichips
 ru30120m3.pdf pdf_icon

RU30120L

RU30120M3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =1.8m (Typ.)@VGS=10V D D D RDS (ON) =2.3m (Typ.)@VGS=4.5V D Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance G Fast Switching Speed S S 100% avalanche tested S Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) PIN1 DFN3030 D Applications Fast Ch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU2HE2D, RU2HE5L, RU30100L, RU30100R, RU30105L, RU30105R, RU30106L, RU3010H, RU7088R, RU30120S, RU3013H, RU30140R, RU30160R, RU30160S, RU3020H, RU3020L, RU30230R