RU30140R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU30140R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU30140R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30140R даташит

 ..1. Size:304K  ruichips
ru30140r.pdfpdf_icon

RU30140R

RU30140R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/140A, RDS (ON) =3m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switching Applications N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit

 9.1. Size:317K  ruichips
ru30120s.pdfpdf_icon

RU30140R

RU30120S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =2.5m (Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =3.3m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO263 D Applications DC-DC Converters G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum

 9.2. Size:296K  ruichips
ru30100l.pdfpdf_icon

RU30140R

RU30100L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/100A, RDS (ON) =2.2 m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4 m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Proces

 9.3. Size:276K  ruichips
ru30120l.pdfpdf_icon

RU30140R

RU30120L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =3.3m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Rat

Другие IGBT... RU30100R, RU30105L, RU30105R, RU30106L, RU3010H, RU30120L, RU30120S, RU3013H, AO4407A, RU30160R, RU30160S, RU3020H, RU3020L, RU30230R, RU30231R, RU30290R, RU30291R