Справочник MOSFET. RU30140R

 

RU30140R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU30140R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU30140R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30140R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  ruichips
ru30140r.pdfpdf_icon

RU30140R

RU30140RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/140A,RDS (ON) =3m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating Unit

 9.1. Size:317K  ruichips
ru30120s.pdfpdf_icon

RU30140R

RU30120SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =2.5m(Typ.)@VGS=10VD RDS (ON) =3.3m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO263DApplications DC-DC ConvertersGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

 9.2. Size:296K  ruichips
ru30100l.pdfpdf_icon

RU30140R

RU30100LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/100A,RDS (ON) =2.2 m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4 m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Proces

 9.3. Size:276K  ruichips
ru30120l.pdfpdf_icon

RU30140R

RU30120LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/120A,RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =3.3m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Rat

Другие MOSFET... RU30100R , RU30105L , RU30105R , RU30106L , RU3010H , RU30120L , RU30120S , RU3013H , AO3407 , RU30160R , RU30160S , RU3020H , RU3020L , RU30230R , RU30231R , RU30290R , RU30291R .

History: RCX160N20 | SFP350N100C2 | SWNX6N70DA | CSN64N12 | IRLML0100TRPBF | FDU6N25 | FDC697P

 

 
Back to Top

 


 
.