RU30160S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU30160S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для RU30160S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30160S даташит

 ..1. Size:323K  ruichips
ru30160s.pdfpdf_icon

RU30160S

RU30160S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/160A, RDS (ON) =2.3m (Typ.)@VGS=10V D Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO263 D Applications DC-DC Converters G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating U

 7.1. Size:302K  ruichips
ru30160r.pdfpdf_icon

RU30160S

RU30160R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/160A, RDS (ON) =2.3m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Com

 9.1. Size:317K  ruichips
ru30120s.pdfpdf_icon

RU30160S

RU30120S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =2.5m (Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =3.3m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO263 D Applications DC-DC Converters G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum

 9.2. Size:296K  ruichips
ru30100l.pdfpdf_icon

RU30160S

RU30100L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/100A, RDS (ON) =2.2 m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4 m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Proces

Другие IGBT... RU30105R, RU30106L, RU3010H, RU30120L, RU30120S, RU3013H, RU30140R, RU30160R, IRFP064N, RU3020H, RU3020L, RU30230R, RU30231R, RU30290R, RU30291R, RU30300R, RU3030M2