Справочник MOSFET. RU3020L

 

RU3020L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU3020L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU3020L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  ruichips
ru3020l.pdfpdf_icon

RU3020L

RU3020LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/20A,RDS (ON) =15 m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =25 m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSym

 8.1. Size:281K  ruichips
ru3020h.pdfpdf_icon

RU3020L

RU3020HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/12A,RDS (ON) =9.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =15m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche testedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management in NotebookComputer, and DC-DC Converters inNetworking Systems.N-C

 9.1. Size:301K  ruichips
ru30230r.pdfpdf_icon

RU3020L

RU30230RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/230A,RDS (ON) =2m (Typ.) @ VGS=10V,IDS=75ARDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=4.5V,IDS=60A Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche testedTO-220 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC Converters

 9.2. Size:306K  ruichips
ru30291r.pdfpdf_icon

RU3020L

RU30291RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/290A,RDS (ON) =1.8m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =2.6m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FX6ASJ-06 | AOT600A60L | AFN3404S23RG | APQ02SN65AF | 2SK2232 | IRF3007S | OSG70R600AF

 

 
Back to Top

 


 
.