2SJ143 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SJ143
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 170 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
2SJ143 Datasheet (PDF)
2sj148.pdf

2SJ148 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ148 High Speed Switching Applications Unit: mm Analog Switch Applications Interface Applications Excellent switching time: ton = 14 ns (typ.) High forward transfer admittance: |Y | = 100 mS (min) fs Low on resistance: R = 1.3 (typ.) DS (ON) Enhancement-mode Complementary to 2SK9
2sj144.pdf

2SJ144 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ144 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Analog Switch Applications Constant Current Applications Impedance Converter Applications High breakdown voltage: VGDS = 50 V (min) High input impedance: I = 1.0 nA (max) (V = 30 V) GSS GS Low R : R = 270 (typ.) (I = -5 mA) DS (ON)
Другие MOSFET... 2SJ135 , 2SJ136 , 2SJ137 , 2SJ138 , 2SJ139 , 2SJ140 , 2SJ141 , 2SJ142 , IRFB4227 , 2SJ151 , 2SJ152 , 2SJ165 , 2SJ166 , 2SJ178 , 2SJ179 , 2SJ180 , 2SJ184 .
History: CET04N10 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4
History: CET04N10 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304