2SJ143 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SJ143
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для 2SJ143
2SJ143 Datasheet (PDF)
2sj148.pdf

2SJ148 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ148 High Speed Switching Applications Unit: mm Analog Switch Applications Interface Applications Excellent switching time: ton = 14 ns (typ.) High forward transfer admittance: |Y | = 100 mS (min) fs Low on resistance: R = 1.3 (typ.) DS (ON) Enhancement-mode Complementary to 2SK9
2sj144.pdf

2SJ144 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ144 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Analog Switch Applications Constant Current Applications Impedance Converter Applications High breakdown voltage: VGDS = 50 V (min) High input impedance: I = 1.0 nA (max) (V = 30 V) GSS GS Low R : R = 270 (typ.) (I = -5 mA) DS (ON)
Другие MOSFET... 2SJ135 , 2SJ136 , 2SJ137 , 2SJ138 , 2SJ139 , 2SJ140 , 2SJ141 , 2SJ142 , 7N65 , 2SJ151 , 2SJ152 , 2SJ165 , 2SJ166 , 2SJ178 , 2SJ179 , 2SJ180 , 2SJ184 .
History: AOD66919 | MEM2309S | WMB040N08HGS | IRF621FI | UTT25P10L | WSP4447
History: AOD66919 | MEM2309S | WMB040N08HGS | IRF621FI | UTT25P10L | WSP4447



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304