RU30231R - аналоги и даташиты транзистора

 

RU30231R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU30231R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 96 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU30231R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30231R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  ruichips
 ru30231r.pdf pdf_icon

RU30231R

RU30231RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/230A,RDS (ON) =2.3m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximu

 8.1. Size:301K  ruichips
 ru30230r.pdf pdf_icon

RU30231R

RU30230RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/230A,RDS (ON) =2m (Typ.) @ VGS=10V,IDS=75ARDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=4.5V,IDS=60A Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche testedTO-220 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC Converters

 9.1. Size:306K  ruichips
 ru30291r.pdf pdf_icon

RU30231R

RU30291RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/290A,RDS (ON) =1.8m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =2.6m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications

 9.2. Size:291K  ruichips
 ru3020l.pdf pdf_icon

RU30231R

RU3020LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/20A,RDS (ON) =15 m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =25 m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSym

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU30120S , RU3013H , RU30140R , RU30160R , RU30160S , RU3020H , RU3020L , RU30230R , IRF3205 , RU30290R , RU30291R , RU30300R , RU3030M2 , RU3040M , RU3040M2 , RU304B , RU3050L .

History: PJP4NA65 | SFP60N100 | SQ3987EV

 

 
Back to Top

 


 
.