Справочник MOSFET. RU3040M

 

RU3040M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU3040M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU3040M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  ruichips
ru3040m.pdfpdf_icon

RU3040M

RU3040M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/40A, RDS (ON) =12m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =17.5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Conversion Switching Application N-Channel MO

 0.1. Size:778K  ruichips
ru3040m3.pdfpdf_icon

RU3040M

RU3040M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/40A,RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =6.5m(Typ.)@VGS=4.5VGSS Uses Ruichips advanced TrenchTM technologyS Excellent QgxRDS(on) product(FOM)D Reliable and RuggedR li bl d R dDD 100% avalanche testedDD Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1DF

 0.2. Size:338K  ruichips
ru3040m2.pdfpdf_icon

RU3040M

RU3040M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/40A,RDS (ON) =5.8m(Typ.)@VGS=10VDDDRDS (ON) =8.2m(Typ.)@VGS=4.5VDRDS (ON) =16.8m(Typ.) @VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed Low gate Charge GSSS 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1PDFN3333D

 9.1. Size:247K  ruichips
ru304b.pdfpdf_icon

RU3040M

RU304BN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/4A,RDS (ON) =44m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =53m (Typ.) @ VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedSOT-23 Lead Free and Green AvailableApplications Load/System SwitchN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitComm

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AP10P10GJ | AP2306CGN-HF | LRK7002WT1G | SM6129NSU | HAT2267H | SFF80N20N | HFD2N60F

 

 
Back to Top

 


 
.