RU3040M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU3040M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060

Аналог (замена) для RU3040M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU3040M даташит

 ..1. Size:306K  ruichips
 ru3040m.pdf pdf_icon

RU3040M

RU3040M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/40A, RDS (ON) =12m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =17.5m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Conversion Switching Application N-Channel MO

 0.1. Size:778K  ruichips
 ru3040m3.pdf pdf_icon

RU3040M

RU3040M3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/40A, RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=4.5V G S S Uses Ruichips advanced TrenchTM technology S Excellent QgxRDS(on) product(FOM) D Reliable and Rugged R li bl d R d D D 100% avalanche tested D D Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 DF

 0.2. Size:338K  ruichips
 ru3040m2.pdf pdf_icon

RU3040M

RU3040M2 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/40A, RDS (ON) =5.8m (Typ.)@VGS=10V D D D RDS (ON) =8.2m (Typ.)@VGS=4.5V D RDS (ON) =16.8m (Typ.) @VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed Low gate Charge G S S S 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 PDFN3333 D

 9.1. Size:247K  ruichips
 ru304b.pdf pdf_icon

RU3040M

RU304B N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/4A, RDS (ON) =44m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =53m (Typ.) @ VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged SOT-23 Lead Free and Green Available Applications Load/System Switch N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Comm

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU3020H, RU3020L, RU30230R, RU30231R, RU30290R, RU30291R, RU30300R, RU3030M2, IRF540, RU3040M2, RU304B, RU3050L, RU3065L, RU306C, RU3070L, RU3070M, RU3089L