RU30E4B - аналоги и даташиты транзистора

 

RU30E4B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU30E4B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для RU30E4B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30E4B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  ruichips
 ru30e4b.pdf pdf_icon

RU30E4B

RU30E4BN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/4A, RDS (ON) =30m(Typ.)@VGS=10VD RDS (ON) =55m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected(Rating 2KV HBM) Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSOT23DApplications Load SwitchGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Rating

 8.1. Size:293K  ruichips
 ru30e40l.pdf pdf_icon

RU30E4B

RU30E40LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/60A,RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management.N-Channel MOSFETAbsolute Maximum

 9.1. Size:277K  ruichips
 ru30e7h.pdf pdf_icon

RU30E4B

RU30E7HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/7.8A,RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter R

 9.2. Size:331K  ruichips
 ru30e60m2.pdf pdf_icon

RU30E4B

RU30E60M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/60A, RDS (ON) =3m(Typ.)@VGS=10VDDD RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=4.5V D Super High Dense Cell Design Ulta Low On-Resistance ESD Protected(Rating 4KV HBM) Fast Switching Speed GSSS 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1PDFN33

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU3070M , RU3089L , RU3090M , RU30C8H , RU30D10H , RU30D8H , RU30E30L , RU30E40L , IRFB4115 , RU30E60M2 , RU30E7H , RU30L15H , RU30L30M , RU30P3B , RU30P4B , RU30P4C , RU30P4C6 .

History: PMZ600UNE | APT60M60JFLL | PJF6NA90

 

 
Back to Top

 


 
.