RU30E7H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU30E7H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RU30E7H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30E7H даташит

 ..1. Size:277K  ruichips
 ru30e7h.pdf pdf_icon

RU30E7H

RU30E7H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/7.8A, RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD Protected SOP-8 Lead Free and Green Available Applications Power Management Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter R

 9.1. Size:323K  ruichips
 ru30e4b.pdf pdf_icon

RU30E7H

RU30E4B N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/4A, RDS (ON) =30m (Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =55m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected(Rating 2KV HBM) Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S SOT23 D Applications Load Switch G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Rating

 9.2. Size:293K  ruichips
 ru30e40l.pdf pdf_icon

RU30E7H

RU30E40L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/60A, RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management. N-Channel MOSFET Absolute Maximum

 9.3. Size:331K  ruichips
 ru30e60m2.pdf pdf_icon

RU30E7H

RU30E60M2 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/60A, RDS (ON) =3m (Typ.)@VGS=10V D D D RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=4.5V D Super High Dense Cell Design Ulta Low On-Resistance ESD Protected(Rating 4KV HBM) Fast Switching Speed G S S S 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 PDFN33

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU3090M, RU30C8H, RU30D10H, RU30D8H, RU30E30L, RU30E40L, RU30E4B, RU30E60M2, P55NF06, RU30L15H, RU30L30M, RU30P3B, RU30P4B, RU30P4C, RU30P4C6, RU30P4H, RU30P5D