RU30P4C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU30P4C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для RU30P4C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30P4C даташит

 ..1. Size:338K  ruichips
 ru30p4c.pdf pdf_icon

RU30P4C

RU30P4C P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -25V/-4A, RDS (ON) =45m (Typ.)@VGS=-10V D RDS (ON) =55m (Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =75m (Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S SOT23-3 D Applications Load Switch DC/DC Converter

 0.1. Size:340K  ruichips
 ru30p4c6.pdf pdf_icon

RU30P4C

RU30P4C6 P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -30V/-4A, S RDS (ON) =50m (Typ.)@VGS=-10V RDS (ON) =75m (Typ.)@VGS=-4.5V D Low On-Resistance D Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D D SOT23-6 D Applications Load Switch DC/DC Converter G S P-Channel MOSFET

 8.1. Size:658K  ruichips
 ru30p40m3.pdf pdf_icon

RU30P4C

RU30P40M3 P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -30V/-40A, RDS (ON) =7.5m (Typ.)@VGS=-10V G S S RDS (ON) =11.5m (Typ.)@VGS=-4.5V S Uses Ruichips advanced TrenchTM technology D Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Reliable and Rugged DD D D 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 DFN3030 D A

 8.2. Size:339K  ruichips
 ru30p4b.pdf pdf_icon

RU30P4C

RU30P4B P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -25V/-4A, RDS (ON) =50m (Typ.)@VGS=-10V D RDS (ON) =60m (Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =80m (Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design G Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S SOT23 D Applications Load Switch G S P-Channel MOSFE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU30E40L, RU30E4B, RU30E60M2, RU30E7H, RU30L15H, RU30L30M, RU30P3B, RU30P4B, IRF9540, RU30P4C6, RU30P4H, RU30P5D, RU30P5H, RU30S4H, RU30S5H, RU35122R, RU35122S