RU3710S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU3710S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для RU3710S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU3710S даташит

 ..1. Size:320K  ruichips
 ru3710s.pdf pdf_icon

RU3710S

RU3710S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/60A RDS (ON)=14m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-263 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems N-Channel MOSFET Absolute Maximum Rating

 8.1. Size:325K  ruichips
 ru3710r.pdf pdf_icon

RU3710S

RU3710R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/60A RDS (ON)=14m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems N-Channel MOSFET Absolute Maximum Rating

Другие IGBT... RU35122S, RU3520H, RU3560L, RU3568L, RU3568R, RU3582R, RU3582S, RU3710R, AON7410, RU40120M, RU40120R, RU40120S, RU40130R, RU40150R, RU40150S, RU40190Q2, RU40190S