RU40120R - аналоги и даташиты транзистора

 

RU40120R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU40120R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 205 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU40120R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU40120R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  ruichips
 ru40120r.pdf pdf_icon

RU40120R

RU40120RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/120A,RDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters Power SupplyN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete

 7.1. Size:322K  ruichips
 ru40120s.pdf pdf_icon

RU40120R

RU40120SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/120A,D RDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO263DApplications DC-DC ConvertersGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating U

 7.2. Size:297K  ruichips
 ru40120m.pdf pdf_icon

RU40120R

RU40120MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/120A, RDS (ON) =2.7m(Typ.)@VGS=10V DDDD Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) GSSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters Power SupplyG

 7.3. Size:322K  ruichips
 ru40120l.pdf pdf_icon

RU40120R

RU40120LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/120A,DRDS (ON) =2.8m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU3560L , RU3568L , RU3568R , RU3582R , RU3582S , RU3710R , RU3710S , RU40120M , 5N65 , RU40120S , RU40130R , RU40150R , RU40150S , RU40190Q2 , RU40190S , RU40220R , RU40231Q2 .

History: 5N65KG-TMS-T

 

 
Back to Top

 


 
.