Справочник MOSFET. RU40120R

 

RU40120R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU40120R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 205 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для RU40120R

 

 

RU40120R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  ruichips
ru40120r.pdf

RU40120R
RU40120R

RU40120RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/120A,RDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters Power SupplyN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete

 7.1. Size:322K  ruichips
ru40120s.pdf

RU40120R
RU40120R

RU40120SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/120A,D RDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO263DApplications DC-DC ConvertersGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating U

 7.2. Size:297K  ruichips
ru40120m.pdf

RU40120R
RU40120R

RU40120MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/120A, RDS (ON) =2.7m(Typ.)@VGS=10V DDDD Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) GSSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters Power SupplyG

 7.3. Size:322K  ruichips
ru40120l.pdf

RU40120R
RU40120R

RU40120LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/120A,DRDS (ON) =2.8m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top