RU40120S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU40120S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 205 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для RU40120S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU40120S даташит

 ..1. Size:322K  ruichips
 ru40120s.pdf pdf_icon

RU40120S

RU40120S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/120A, D RDS (ON) =3.5m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO263 D Applications DC-DC Converters G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating U

 7.1. Size:301K  ruichips
 ru40120r.pdf pdf_icon

RU40120S

RU40120R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/120A, RDS (ON) =3.5m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters Power Supply N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Paramete

 7.2. Size:297K  ruichips
 ru40120m.pdf pdf_icon

RU40120S

RU40120M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/120A, RDS (ON) =2.7m (Typ.)@VGS=10V D D D D Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S S S PIN1 PIN1 PDFN5060 D Applications DC/DC Converters Power Supply G

 7.3. Size:322K  ruichips
 ru40120l.pdf pdf_icon

RU40120S

RU40120L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/120A, D RDS (ON) =2.8m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO252 D Applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU3568L, RU3568R, RU3582R, RU3582S, RU3710R, RU3710S, RU40120M, RU40120R, IRF1010E, RU40130R, RU40150R, RU40150S, RU40190Q2, RU40190S, RU40220R, RU40231Q2, RU40231R