Справочник MOSFET. RU40150R

 

RU40150R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU40150R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 106 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU40150R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  ruichips
 ru40150r.pdf pdf_icon

RU40150R

RU40150RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/150A,RDS (ON) =3m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter R

 7.1. Size:292K  ruichips
 ru40150s.pdf pdf_icon

RU40150R

RU40150SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/150A,RDS (ON) =3m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices AvailableTO-263(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter R

 9.1. Size:296K  ruichips
 ru40190q2.pdf pdf_icon

RU40150R

RU40190Q2N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/190A,RDS (ON) =2.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-3PApplications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximu

 9.2. Size:301K  ruichips
 ru40120r.pdf pdf_icon

RU40150R

RU40120RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/120A,RDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters Power SupplyN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STF8209 | NCEP026N10F | PSMN028-100YS | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N

 

 
Back to Top

 


 
.