IRFS9130. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS9130

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для IRFS9130

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS9130 даташит

 8.1. Size:288K  1
 irfs9140 irfs9141.pdf pdf_icon

IRFS9130

 8.2. Size:13K  samsung
 irfs91xx irfs92xx.pdf pdf_icon

IRFS9130

 9.1. Size:290K  1
 irfs9530 irfs9531.pdf pdf_icon

IRFS9130

 9.2. Size:286K  1
 irfs9640 irfs9641.pdf pdf_icon

IRFS9130

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS831, IRFS832, IRFS833, IRFS840, IRFS840A, IRFS841, IRFS842, IRFS843, AO4407A, IRFS9131, IRFS9132, IRFS9133, IRFS9140, IRFS9141, IRFS9142, IRFS9143, IRFS9230