RU40190Q2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU40190Q2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 96 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для RU40190Q2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU40190Q2 даташит

 ..1. Size:296K  ruichips
 ru40190q2.pdf pdf_icon

RU40190Q2

RU40190Q2 N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/190A, RDS (ON) =2.5m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-3P Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications N-Channel MOSFET Absolute Maximu

 7.1. Size:296K  ruichips
 ru40190s.pdf pdf_icon

RU40190Q2

RU40190S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/190A, RDS (ON) =2.5m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available TO-263 (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications N-Channel MOSFET Absolute Maximu

 7.2. Size:305K  ruichips
 ru40190r.pdf pdf_icon

RU40190Q2

RU40190R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/190A, RDS (ON) =2.5m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications N-Channel MOSFET Absolute Maximu

 8.1. Size:628K  ruichips
 ru40191s.pdf pdf_icon

RU40190Q2

RU40191S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/190A, RDS (ON) =1.8m (Typ.)@VGS=10V D Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested G S Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO263 D Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications G S N-Channel MOSFET Abso

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU3710R, RU3710S, RU40120M, RU40120R, RU40120S, RU40130R, RU40150R, RU40150S, CS150N03A8, RU40190S, RU40220R, RU40231Q2, RU40231R, RU40280R, RU4068L, RU4089R, RU4090L