RU4090L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU4090L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RU4090L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU4090L даташит

 ..1. Size:290K  ruichips
 ru4090l.pdf pdf_icon

RU4090L

RU4090L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/90A, RDS (ON) =4m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Motor Drivers Switch Systems N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rat

 ..2. Size:1642K  cn vbsemi
 ru4090l.pdf pdf_icon

RU4090L

RU4090L www.VBsemi.tw N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested RoHS 0.0050 at VGS = 10 V 85 COMPLIANT 40 80 nC 0.0065 at VGS = 4.5 V 70 APPLICATIONS Synchronous Rectification Power Supplies D TO-252 G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.1. Size:333K  ruichips
 ru4099r.pdf pdf_icon

RU4090L

RU4099R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/200A RDS (ON)=2.8m (Typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available TO-220 Applications Automotive applications and a wide variety of other applications High Efficiency Synchronous in SMPS High Speed Power Switching N-Channel MOSFET Abs

 9.2. Size:290K  ruichips
 ru4095l.pdf pdf_icon

RU4090L

RU4095L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/99A, RDS (ON) =3.9m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Motor Drivers DC/DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU40190Q2, RU40190S, RU40220R, RU40231Q2, RU40231R, RU40280R, RU4068L, RU4089R, 4N60, RU4095L, RU4099Q, RU4099R, RU40E25L, RU40E32L, RU40E80L, RU40L10H, RU40L10L