RU60100R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RU60100R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO-220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
RU60100R Datasheet (PDF)
ru60100r.pdf

RU60100R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/130A, RDS (ON) =4m (Typ.) @VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems
ru60101r.pdf

RU60101RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/100A,RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Low Gate ChargeTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application Systems Inverter SystemsN-Channel MOSFETAbsolu
ru60120r.pdf

RU60120RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/125A,RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters Inverter SystemsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolPara
ru60190r.pdf

RU60190RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/190A,RDS (ON) =3.7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Motor Control DC/DC Converter UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: SQM85N03-06P | NP90N055NDH | SQM110N10-09 | STP3N100FI | 2SK3788-01 | HY0C20C | IRFS823
History: SQM85N03-06P | NP90N055NDH | SQM110N10-09 | STP3N100FI | 2SK3788-01 | HY0C20C | IRFS823



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627