Справочник MOSFET. RU60190R

 

RU60190R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU60190R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU60190R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU60190R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  ruichips
 ru60190r.pdf pdf_icon

RU60190R

RU60190RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/190A,RDS (ON) =3.7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Motor Control DC/DC Converter UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol

 9.1. Size:337K  ruichips
 ru60100r.pdf pdf_icon

RU60190R

RU60100R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/130A, RDS (ON) =4m (Typ.) @VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems

 9.2. Size:300K  ruichips
 ru60120r.pdf pdf_icon

RU60190R

RU60120RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/125A,RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters Inverter SystemsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolPara

 9.3. Size:301K  ruichips
 ru60101r.pdf pdf_icon

RU60190R

RU60101RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/100A,RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Low Gate ChargeTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application Systems Inverter SystemsN-Channel MOSFETAbsolu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU5H5L , RU5H5P , RU5H5R , RU5H8P , RU5H8R , RU60100R , RU60101R , RU60120R , AON7403 , RU60200R , RU602B , RU60450Q , RU6050L , RU6050R , RU6050S , RU6051K , RU6055L .

 

 
Back to Top

 


 
.