RU60190R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU60190R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 190 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 140 nC
Время нарастания (tr): 86 ns
Выходная емкость (Cd): 700 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO-220
RU60190R Datasheet (PDF)
ru60190r.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RU60190RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/190A,RDS (ON) =3.7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Motor Control DC/DC Converter UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol
ru60100r.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RU60100R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/130A, RDS (ON) =4m (Typ.) @VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems
ru60120r.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RU60120RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/125A,RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters Inverter SystemsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolPara
ru60101r.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RU60101RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/100A,RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Low Gate ChargeTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application Systems Inverter SystemsN-Channel MOSFETAbsolu
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .