RU60190R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU60190R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU60190R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU60190R даташит

 ..1. Size:303K  ruichips
 ru60190r.pdf pdf_icon

RU60190R

RU60190R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/190A, RDS (ON) =3.7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Motor Control DC/DC Converter UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol

 9.1. Size:337K  ruichips
 ru60100r.pdf pdf_icon

RU60190R

RU60100R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/130A, RDS (ON) =4m (Typ.) @VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems

 9.2. Size:300K  ruichips
 ru60120r.pdf pdf_icon

RU60190R

RU60120R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/125A, RDS (ON) =5.5m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters Inverter Systems N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Para

 9.3. Size:301K  ruichips
 ru60101r.pdf pdf_icon

RU60190R

RU60101R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/100A, RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Low Gate Charge TO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switching Application Systems Inverter Systems N-Channel MOSFET Absolu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU5H5L, RU5H5P, RU5H5R, RU5H8P, RU5H8R, RU60100R, RU60101R, RU60120R, IRF9640, RU60200R, RU602B, RU60450Q, RU6050L, RU6050R, RU6050S, RU6051K, RU6055L