RU6050R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU6050R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU6050R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6050R даташит

 ..1. Size:302K  ruichips
 ru6050r.pdf pdf_icon

RU6050R

RU6050R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/50A, RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Ra

 8.1. Size:293K  ruichips
 ru6050s.pdf pdf_icon

RU6050R

RU6050S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/50A, RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available TO-263 (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Ra

 8.2. Size:290K  ruichips
 ru6050l.pdf pdf_icon

RU6050R

RU6050L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/50A, RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rat

 9.1. Size:372K  ruichips
 ru6051k.pdf pdf_icon

RU6050R

RU6051K N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/50A, RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =12m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO251 D D D D D D D Applications pp DC-DC Converters

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU60100R, RU60101R, RU60120R, RU60190R, RU60200R, RU602B, RU60450Q, RU6050L, RU7088R, RU6050S, RU6051K, RU6055L, RU6055R, RU6055S, RU6070L, RU6075R, RU6080L