RU6055R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU6055R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 94 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 388 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU6055R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6055R даташит

 ..1. Size:300K  ruichips
ru6055r.pdfpdf_icon

RU6055R

RU6055R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/60A, RDS (ON) =9m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested TO-220 175 C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application Systems N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit C

 8.1. Size:296K  ruichips
ru6055s.pdfpdf_icon

RU6055R

RU6055S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/60A, RDS (ON) =9m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature TO-263 Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application Systems N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit C

 8.2. Size:284K  ruichips
ru6055l.pdfpdf_icon

RU6055R

RU6055L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/60A, RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252 Applications DC-DC Converters and Off-line UPS High Speed Power Switching High Frequency Circuits N-Channel MOSFET Absolute Maxim

 9.1. Size:372K  ruichips
ru6051k.pdfpdf_icon

RU6055R

RU6051K N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/50A, RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =12m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO251 D D D D D D D Applications pp DC-DC Converters

Другие IGBT... RU60200R, RU602B, RU60450Q, RU6050L, RU6050R, RU6050S, RU6051K, RU6055L, 60N06, RU6055S, RU6070L, RU6075R, RU6080L, RU6099R, RU6099S, RU60C20R5, RU60D5H