IRFS9141
Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFS9141
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Id| ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 13.2
A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
tr ⓘ -
Время нарастания: 15(max)
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 232
pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2
Ohm
Тип корпуса:
TO3PF
Аналог (замена) для IRFS9141
-
подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFS9141
Datasheet (PDF)
9.5. Size:232K international rectifier
irfs9n60apbf.pdf 
PD - 95538SMPS MOSFETIRFS9N60APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 600V 0.75 9.2Al High Speed Power Switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt RuggednessG D Sl Fully Characterized Capacitance an
9.6. Size:270K international rectifier
irfs9n60a.pdf 
PD - 95538SMPS MOSFETIRFS9N60APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 600V 0.75 9.2Al High Speed Power Switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt RuggednessG D Sl Fully Characterized Capacitance an
9.8. Size:225K vishay
irfs9n60a sihfs9n60a.pdf 
IRFS9N60A, SiHFS9N60Awww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low gate charge Qg results in simple drive VDS (V) 600requirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.75Available Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt Qg max. (nC) 49ruggednessQgs (nC) 13Available Fully characterized capacitance and avalanche Qgd (nC) 20voltage and curr
9.9. Size:278K inchange semiconductor
irfs9n60a.pdf 
iscN-Channel MOSFET Transistor IRFS9N60AFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) =0.75 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU
Другие MOSFET... IRFS841
, IRFS842
, IRFS843
, IRFS9130
, IRFS9131
, IRFS9132
, IRFS9133
, IRFS9140
, IRFZ44N
, IRFS9142
, IRFS9143
, IRFS9230
, IRFS9231
, IRFS9232
, IRFS9233
, IRFS9240
, IRFS9241
.
History: IPA65R065C7
