RU60E16L - аналоги и даташиты транзистора

 

 

RU60E16L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU60E16L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RU60E16L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

 

RU60E16L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  ruichips
 ru60e16l.pdf pdf_icon

RU60E16L

RU60E16LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/16A,RDS (ON) =60m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

 7.1. Size:301K  ruichips
 ru60e16r.pdf pdf_icon

RU60E16L

RU60E16RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/16A,RDS (ON) =60m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParame

 9.1. Size:257K  ruichips
 ru60e5d.pdf pdf_icon

RU60E16L

RU60E5D N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/5A, RDS (ON) =58m (Type) @ VGS=10V RDS (ON) =70m (Type) @ VGS=4.5V ESD Protected Reliable and Rugged SOT-223 Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications Power Management DC-DC Converter Motor Control N-Channel

 9.2. Size:303K  ruichips
 ru60e25r.pdf pdf_icon

RU60E16L

RU60E25RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/25A,RDS (ON) =35m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design ESD protected 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU6055S , RU6070L , RU6075R , RU6080L , RU6099R , RU6099S , RU60C20R5 , RU60D5H , IRF540N , RU60E16R , RU60E25L , RU60E25R , RU60E5D , RU60E5H , RU60E6D , RU60E6H , RU60P60R .

History: IPD90N04S4-03

 

 
Back to Top

 


 
.