RU6881R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU6881R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU6881R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6881R даташит

 ..1. Size:303K  ruichips
 ru6881r.pdf pdf_icon

RU6881R

RU6881R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 68V/86A, RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switching Application Systems Inverter Systems N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings S

 9.1. Size:303K  ruichips
 ru6888m.pdf pdf_icon

RU6881R

RU6888M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/62A, RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available PDFN5060 (RoHS Compliant) Applications Power Management. N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Uni

 9.2. Size:461K  ruichips
 ru6888.pdf pdf_icon

RU6881R

RU6888 N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 68V/88A, RDS (ON) =6.0m (Type) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance TO-220 TO-220F Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-263 TO-247 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Applicat

 9.3. Size:303K  ruichips
 ru6888r.pdf pdf_icon

RU6881R

RU6888R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 68V/88A, RDS (ON) =6m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems Inverte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU60E6D, RU60E6H, RU60P60R, RU6199Q, RU6199R, RU65120R, RU6581L, RU6581R, 10N60, RU6888M, RU6888S, RU6H1L, RU6H2K, RU6H2L, RU6H2R, RU6H4R, RU6H5L