Справочник MOSFET. RU6881R

 

RU6881R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6881R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU6881R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6881R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  ruichips
 ru6881r.pdf pdf_icon

RU6881R

RU6881RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/86A,RDS (ON) =6.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application Systems Inverter SystemsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsS

 9.1. Size:303K  ruichips
 ru6888m.pdf pdf_icon

RU6881R

RU6888M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/62A, RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available PDFN5060 (RoHS Compliant) Applications Power Management. N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Uni

 9.2. Size:461K  ruichips
 ru6888.pdf pdf_icon

RU6881R

RU6888N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6.0m (Type) @ VGS=10V Ultra Low On-ResistanceTO-220 TO-220F Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-263 TO-247 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Applicat

 9.3. Size:303K  ruichips
 ru6888r.pdf pdf_icon

RU6881R

RU6888RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inverte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: FQB11N40C

 

 
Back to Top

 


 
.