Справочник MOSFET. RU6881R

 

RU6881R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU6881R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 68 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 86 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 58 nC
   Время нарастания (tr): 16 ns
   Выходная емкость (Cd): 340 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для RU6881R

 

 

RU6881R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  ruichips
ru6881r.pdf

RU6881R RU6881R

RU6881RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/86A,RDS (ON) =6.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application Systems Inverter SystemsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsS

 9.1. Size:303K  ruichips
ru6888m.pdf

RU6881R RU6881R

RU6888M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/62A, RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available PDFN5060 (RoHS Compliant) Applications Power Management. N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Uni

 9.2. Size:461K  ruichips
ru6888.pdf

RU6881R RU6881R

RU6888N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6.0m (Type) @ VGS=10V Ultra Low On-ResistanceTO-220 TO-220F Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-263 TO-247 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Applicat

 9.3. Size:303K  ruichips
ru6888r.pdf

RU6881R RU6881R

RU6888RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inverte

 9.4. Size:295K  ruichips
ru6888s.pdf

RU6881R RU6881R

RU6888SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche testedTO-263 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inverte

 9.5. Size:450K  ruichips
ru6888r3.pdf

RU6881R RU6881R

RU6888R3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,Insulation Slug RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V Insulation Slug(VISO1500VAC) Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedF t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureS Lead Free and Green

Другие MOSFET... RU60E6D , RU60E6H , RU60P60R , RU6199Q , RU6199R , RU65120R , RU6581L , RU6581R , IRFB4115 , RU6888M , RU6888S , RU6H1L , RU6H2K , RU6H2L , RU6H2R , RU6H4R , RU6H5L .

 

 
Back to Top