RU6H2L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU6H2L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RU6H2L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6H2L даташит

 ..1. Size:328K  ruichips
 ru6h2l.pdf pdf_icon

RU6H2L

RU6H2L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 600V/2A, D RDS (ON) =4000m (Typ.)@VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 5pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO252 D Applications High efficiency switch mode power supplies Lighting G S N-Cha

 9.1. Size:286K  ruichips
 ru6h2k.pdf pdf_icon

RU6H2L

RU6H2K N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 600V/2A, RDS (ON) =4000m (Typ.)@VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 5pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO251 D Applications High efficiency switch mode power supplies Lighting G S N-Cha

 9.2. Size:294K  ruichips
 ru6h2r.pdf pdf_icon

RU6H2L

RU6H2R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 600V/2A, RDS (ON) =4 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 5pF) Extremely high dv/dt capability TO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute Maximum Ratin

Другие IGBT... RU65120R, RU6581L, RU6581R, RU6881R, RU6888M, RU6888S, RU6H1L, RU6H2K, 8205A, RU6H2R, RU6H4R, RU6H5L, RU6H7R, RU6H9P, RU6H9R, RU6Z5R, RU6Z8R