RU70200R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RU70200R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU70200R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU70200R даташит

 ..1. Size:302K  ruichips
 ru70200r.pdf pdf_icon

RU70200R

RU70200R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 70V/200A, RDS (ON) =2.8m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems Inv

Другие IGBT... RU6H5L, RU6H7R, RU6H9P, RU6H9R, RU6Z5R, RU6Z8R, RU70100R, RU70190R, IRLB4132, RU7080L, RU7085R, RU7088A, RU70E15L, RU70E4D, RU70E4H, RU75110R, RU75110S