RU70200R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU70200R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 333 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 200 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 158 nC
Время нарастания (tr): 38 ns
Выходная емкость (Cd): 940 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO-220
RU70200R Datasheet (PDF)
..1. Size:302K ruichips
ru70200r.pdf
ru70200r.pdf
RU70200RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 70V/200A,RDS (ON) =2.8m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inv
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
