RU7085R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RU7085R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 136 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU7085R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU7085R даташит

 ..1. Size:300K  ruichips
ru7085r.pdfpdf_icon

RU7085R

RU7085R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 70V/85A, RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Supply N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Rati

 9.1. Size:306K  ruichips
ru7088a.pdfpdf_icon

RU7085R

RU7088A N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 65V/88A, RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications The device is suitable for use in PWM ,load switching and general purpose applications. N-Channel

 9.2. Size:328K  ruichips
ru7080l.pdfpdf_icon

RU7085R

RU7080L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 70V/80A, D RDS (ON) =5.7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO252 D Applications Power Supply G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit C

 9.3. Size:295K  ruichips
ru7088r.pdfpdf_icon

RU7085R

RU7088R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 70V/80A, RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO220 Applications Switching Application Syste

Другие IGBT... RU6H9P, RU6H9R, RU6Z5R, RU6Z8R, RU70100R, RU70190R, RU70200R, RU7080L, K3569, RU7088A, RU70E15L, RU70E4D, RU70E4H, RU75110R, RU75110S, RU75150R, RU75170S