RU75170S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU75170S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 150 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 145 nC
Время нарастания (tr): 96 ns
Выходная емкость (Cd): 700 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO-263
RU75170S Datasheet (PDF)
ru75170s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RU75170S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 75V/150A, RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available TO-263 (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
ru75150r.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RU75150RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/148A,RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolPara
ru75110s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RU75110SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/110A,RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices AvailableTO-263(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter
ru75110r.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RU75110RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/110A,RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .